Транзистор с плавающим затвором

Jakość:

Artykuł "Транзистор с плавающим затвором" w rosyjskiej Wikipedii posiada 15.9 punktów za jakość (stan na 1 listopada 2023 roku). Artykuł zawiera, oprócz innych wskaźników, 5 referencji oraz 6 sekcji. Ten artykuł ma najlepszą jakość w angielskiej Wikipedii. Również artykuł jest najbardziej popularny w tej wersji językowej.

Od czasu utworzenia artykułu "Транзистор с плавающим затвором" jego treść była napisana przez 25 zarejestrowanych użytkowników rosyjskiej Wikipedii oraz edytowana przez 149 zarejestrowanych użytkowników Wikipedii we wszystkich wersjach jézykowych.

Ten artykuł jest cytowany 14 razy w rosyjskiej Wikipedii oraz cytowany 583 razy we wszystkich wersjach językowych.

Najwyższe zainteresowanie autorów od 2001 roku:

Lokalny (Rosyjski): Nr 6412 w marcu 2009 roku
Globalny: Nr 80598 w marcu 2009 roku

Najwyższa popularność w rankingu od 2008 roku:

Lokalny (Rosyjski): Nr 46646 w czerwcu 2008 roku
Globalny: Nr 208713 w marcu 2015 roku

Dla danego artykułu znaleziono 11 wersji językowych w bazie danych WikiRank (z 55 rozpatrywanych wersji językowych Wikipedii).

Dane z dnia 1 listopada 2023 roku.

Poniższa tabela przedstawia wersje językowe artykułu o najlepszej jakośći.

Języki o najlepszej jakośći

#	Język	Ocena jakośći
1	Angielski (en) Floating-gate MOSFET	33.472
2	Chiński (zh) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管	32.5664
3	Kataloński (ca) MOSFET de porta flotant	29.7497
4	Niemiecki (de) Floating-Gate-Transistor	20.2991
5	Włoski (it) Floating Gate MOSFET	17.512
6	Rosyjski (ru) Транзистор с плавающим затвором	15.9203
7	Japoński (ja) 浮遊ゲートMOSFET	15.4934
8	Perski (fa) ماسفت گیت-شناور	14.9378
9	Ukraiński (uk) Транзистор із плавним затвором	14.8781
10	Wietnamski (vi) FGMOS	14.3275

Więcej...

Następna tabela zawiera najbardziej popularne wersje językowe tego artykułu.

Najpopularniejsze za cały czas

Najpopularniejsze wersje językowe artykułu "Транзистор с плавающим затвором" za cały czas

#	Język	Ocena popularności
1	Angielski (en) Floating-gate MOSFET	740 638
2	Niemiecki (de) Floating-Gate-Transistor	121 783
3	Rosyjski (ru) Транзистор с плавающим затвором	96 315
4	Włoski (it) Floating Gate MOSFET	38 659
5	Chiński (zh) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管	21 192
6	Japoński (ja) 浮遊ゲートMOSFET	12 821
7	Ukraiński (uk) Транзистор із плавним затвором	5 536
8	Wietnamski (vi) FGMOS	1 091
9	Perski (fa) ماسفت گیت-شناور	1 062
10	Indonezyjski (id) Memori gerbang mengambang	191

Więcej...

Poniższa tabela pokazuje artykuły cieszące się największą popularnością za ostatni miesiąc.

Najpopularniejsze w październiku 2023

Najpopularniejsze wersje językowe artykułu "Транзистор с плавающим затвором" w październiku 2023

#	Język	Ocena popularności
1	Angielski (en) Floating-gate MOSFET	3 942
2	Chiński (zh) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管	442
3	Niemiecki (de) Floating-Gate-Transistor	381
4	Rosyjski (ru) Транзистор с плавающим затвором	357
5	Japoński (ja) 浮遊ゲートMOSFET	291
6	Włoski (it) Floating Gate MOSFET	139
7	Ukraiński (uk) Транзистор із плавним затвором	46
8	Perski (fa) ماسفت گیت-شناور	18
9	Indonezyjski (id) Memori gerbang mengambang	15
10	Wietnamski (vi) FGMOS	13

Więcej...

Poniższa tabela pokazuje artykuły cieszące się największym zainteresowaniem autorów.

Największe ZA

Wersje językowe artykułu "Транзистор с плавающим затвором" o największym zainteresowaniu autorów (liczba autorów). Tylko zarejestrowani użytkownicy Wikipedii zostały brane pod uwagę.

#	Język	Względne ZA
1	Angielski (en) Floating-gate MOSFET	59
2	Rosyjski (ru) Транзистор с плавающим затвором	25
3	Niemiecki (de) Floating-Gate-Transistor	23
4	Włoski (it) Floating Gate MOSFET	16
5	Ukraiński (uk) Транзистор із плавним затвором	7
6	Chiński (zh) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管	5
7	Japoński (ja) 浮遊ゲートMOSFET	4
8	Wietnamski (vi) FGMOS	4
9	Kataloński (ca) MOSFET de porta flotant	2
10	Perski (fa) ماسفت گیت-شناور	2

Więcej...

Poniższa tabela pokazuje artykuły cieszące się największym zainteresowaniem autorów za ostatni miesiąc.

Największe ZA w październiku 2023

Wersje językowe artykułu "Транзистор с плавающим затвором" o największym zainteresowaniu autorów (liczba autorów)

#	Język	Względne ZA
1	Angielski (en) Floating-gate MOSFET	1
2	Chiński (zh) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管	1
3	Kataloński (ca) MOSFET de porta flotant	0
4	Niemiecki (de) Floating-Gate-Transistor	0
5	Perski (fa) ماسفت گیت-شناور	0
6	Indonezyjski (id) Memori gerbang mengambang	0
7	Włoski (it) Floating Gate MOSFET	0
8	Japoński (ja) 浮遊ゲートMOSFET	0
9	Rosyjski (ru) Транзистор с плавающим затвором	0
10	Ukraiński (uk) Транзистор із плавним затвором	0

Więcej...

Poniższa tabela pokazuje wersje językowe artykułu z największą liczbą cytowań.

Największy IC

Wersje językowe artykułu "Транзистор с плавающим затвором" o największym indeksie cytowań

#	Język	Względny IC
1	Angielski (en) Floating-gate MOSFET	309
2	Japoński (ja) 浮遊ゲートMOSFET	104
3	Wietnamski (vi) FGMOS	87
4	Niemiecki (de) Floating-Gate-Transistor	24
5	Włoski (it) Floating Gate MOSFET	14
6	Rosyjski (ru) Транзистор с плавающим затвором	14
7	Ukraiński (uk) Транзистор із плавним затвором	11
8	Kataloński (ca) MOSFET de porta flotant	6
9	Perski (fa) ماسفت گیت-شناور	6
10	Chiński (zh) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管	6

Więcej...

Oceny

Szacowana wartość dla Wikipedii:

Rosyjski:

Globalnie:

Popularność w październiku 2023:

Rosyjski:

Globalnie:

Popularność za cały czas:

Rosyjski:

Globalnie:

Autorzy w październiku 2023:

Rosyjski:

Globalnie:

Zarejestrowani autorzy przez wszystkie lata:

Rosyjski:

Globalnie:

Cytowania:

Rosyjski:

Globalnie:

Miary jakośći

Interwiki

#	Język	Wartość
ca	Kataloński MOSFET de porta flotant
de	Niemiecki Floating-Gate-Transistor
en	Angielski Floating-gate MOSFET
fa	Perski ماسفت گیت-شناور
id	Indonezyjski Memori gerbang mengambang
it	Włoski Floating Gate MOSFET
ja	Japoński 浮遊ゲートMOSFET
ru	Rosyjski Транзистор с плавающим затвором
uk	Ukraiński Транзистор із плавним затвором
vi	Wietnamski FGMOS
zh	Chiński 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管

Trendy rankingu popularności

Najlepsza pozycja	Rosyjski: Nr 46646 06.2008	Globalny: Nr 208713 03.2015

Trendy rankingu ZA

Najlepsza pozycja	Rosyjski: Nr 6412 03.2009	Globalny: Nr 80598 03.2009

Historia rankingu ZA lokalnego

Porównanie języków

Ważne połączenia globalne

Wyniki zagregowane jakości i popularności artykułu Wikipedii

Lista artykułów Wikipedii w różnych językach (zaczynając od najpopularniejszego):

en: Floating-gate MOSFET

de: Floating-Gate-Transistor

ru: Транзистор с плавающим затвором

it: Floating Gate MOSFET

zh: 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管

ja: 浮遊ゲートMOSFET

uk: Транзистор із плавним затвором

vi: FGMOS

fa: ماسفت گیت-شناور

id: Memori gerbang mengambang

ca: MOSFET de porta flotant

Wiadomości z 19 czerwca 2024

W dniu 19 czerwca 2024 roku w wielojęzycznej Wikipedii internauci najczęściej czytali artykuły na następujące tematy: Mistrzostwa Europy w Piłce Nożnej 2024, Mistrzostwa Europy w piłce nożnej, Xherdan Shaqiri, Jamal Musiala, Cristiano Ronaldo, Albania, Mistrzostwa Europy w Piłce Nożnej 2020, İlkay Gündoğan, W głowie się nie mieści 2, Juneteenth.

W rosyjskiej Wikipedii najbardziej popularnymi artykułami w tym dniu były: Яндекс, Корейская Народно-Демократическая Республика, Чемпионат Европы по футболу 2024, Ботулизм, Ким Чен Ын, Годовщины свадьбы, YouTube, Список умерших в 2024 году, Криштиану Роналду, Республика Корея.

O projekcie WikiRank

Projekt WikiRank jest przeznaczony do automatycznej względnej oceny artykułów w różnych wersjach językowych Wikipedii. Obecnie WikiRank pozwala porównywać ponad 44 mln artykułów Wikipedii w 55 językach. Wskaźniki jakośći artykułu są oparte na kopii zapasowej Wikipedia (stan na listopad 2023). Przy obliczaniu popularności uwzględniono statystyki artykułów za ostatni miesiąc (w październiku 2023 roku). Przy obliczaniu aktualnej popularności oraz Zainteresowania Autorów (ZA) artykułów uwzględniono dane za październiku 2023 roku. Dla wartości historycznych popularności oraz ZA zostały wykorzystane dane z lat 2001-2023... Więcej informacji

Ocena jakośći i popularności Wikipedii

Транзистор с плавающим затвором